0 Ваш заказ
Запрос отправлен
Большое спасибо за заказ. Наши менеджеры свяжутся с вами по электронной почте для уточнения стоимости и сроков поставки.

Заказать пропуск
8 495 795 08 05 Пн-Пт 9:00-18:00

Полевые транзисторы MOSFET, стр. 67

N 4234 NDual 277 NDual Asymmetric 1 NPDual 69 P 888 PDual 87
Вид:
Тип канала VDSS,V RDS(on),Ohm ID,A VGS(th) min,V VGS(th) max,V Pd,Вт Корпус Производитель

MOSFET N-channel. 100V. 5.7A. DirectFET-SJ

N
100
0.028
5.7
3
4.9
DirectFET-SJ
IR

MOSFET N-channel. 100V. 5.7A. DirectFET-SJ

N
100
0.028
5.7
3
4.9
DirectFET-SJ
IR

MOSFET N-channel. 100V. 4.2A. DirectFET-SH

N
100
0.053
4.2
2.8
4.8
DirectFET-SH
IR

MOSFET N-channel. 100V. 4.2A. DirectFET-SH

N
100
0.053
4.2
2.8
4.8
DirectFET-SH
IR

MOSFET N-channel. 100V. 4.2A. DirectFET-SH

N
100
0.053
4.2
2.8
4.8
DirectFET-SH
IR

MOSFET N-channel. 100V. 8.3A. DirectFET-MZ

N
100
0.0175
8.3
3
4.9
DirectFET-MZ
IR

MOSFET N-channel. 100V. 8.3A. DirectFET-MZ

N
100
0.0175
8.3
3
4.9
DirectFET-MZ
IR

MOSFET N-channel. 100V. 8.3A. DirectFET-MZ

N
100
0.0175
8.3
3
4.9
DirectFET-MZ
IR

MOSFET N-channel. 100V. 19A. DirectFET-SH

N
100
0.053
19
3
5
DirectFET-SH
IR

MOSFET N-channel. 100V. 19A. DirectFET-SH

N
100
0.053
19
3
5
DirectFET-SH
IR

MOSFET N-channel. 100V. 19A. DirectFET-SH

N
100
0.053
19
3
5
DirectFET-SH
IR

MOSFET N-channel. 150V. 28A. DirectFET-MZ

N
150
0.047
28
3
5
DirectFET-MZ
IR

MOSFET N-channel. 200V. 19A. DirectFET-MZ

N
200
0.085
19
3
5
DirectFET-MZ
IR

MOSFET N-channel. 200V. 2.5A. SO-8

N
200
0.17
2.5
3
5.5
SO-8
IR

MOSFET N-channel. 200V. 2.5A. SO-8

N
200
0.17
2.5
3
5.5
SO-8
IR

MOSFET N-channel. 150V. 3.6A. SO-8

N
150
0.09
3.6
3
5.5
SO-8
IR

MOSFET N-channel. 150V. 3.6A. SO-8

N
150
0.09
3.6
3
5.5
SO-8
IR

MOSFET N-channel. 100V. 4.5A. SO-8

N
100
0.06
4.5
3
5.5
SO-8
IR

Основные типы корпусов для MOSFET:

TO-220AB:

Корпус TO-220AB

D-PAK (TO-252):

Корпус D-PAK (TO-252)

I-PAK (TO-251):

Корпус I-PAK (TO-251)


Смежные категории

Закрыть

Короткая ссылка на эту страницу