Полевые транзисторы MOSFET - Транзисторы - Электронные компоненты - Каталог компонентов, стр. 209 | Поставка электронных компонентов оптом и в розницу

Вид:

↑	↑Тип канала	↑VDSS,V	↑RDS(on),Ohm	↑ID,A	↑VGS(th) min,V	↑VGS(th) max,V	↑Pd,Вт	↑Корпус	↑Производитель
↑	↑Тип канала	↑VDSS,V	↑RDS(on),Ohm	↑ID,A	↑VGS(th) min,V	↑VGS(th) max,V	↑Pd,Вт	↑Корпус	↑Производитель
MOSFET N-channel. 30V. 162A. SISS52DN-T1-GE3	N	30		162		2.2	57		VISHAY
MOSFET N-channel. 30V. 185.6A. SISS54DN-T1-GE3	N	30		185.6		2.2	65.7		VISHAY
MOSFET N-channel. 30V. 181.8A. SISS60DN-T1-GE3	N	30		181.8		2.5	65.8		VISHAY
MOSFET P-channel. 20V. 111.9A. SISS61DN-T1-GE3	P	20		111.9		0.9	65.8		VISHAY
MOSFET P-channel. 20V. 127.5A. SISS63DN-T1-GE3	P	20		127.5		1.5	65.8		VISHAY
MOSFET N-channel. 30V. 40A. SISS64DN-T1-GE3	N	30		40		2.2	57		VISHAY
MOSFET P-channel. 30V. 94A. SISS65DN-T1-GE3	P	30		94		2.3	65.8		VISHAY
MOSFET N-channel. 30V. 178.3A. SISS66DN-T1-GE3	N	30		178.3		2.5	65.8		VISHAY
MOSFET P-channel. 30V. 60A. SISS67DN-T1-GE3	P	30		60		2.5	65.8		VISHAY
MOSFET N-channel. 125V. 31A. SISS70DN-T1-GE3	N	125	0.0298	31		4.5	65.8		VISHAY
MOSFET P-channel. 100V. 23A. SISS71DN-T1-GE3	P	100	0.059	23		2.5	57		VISHAY
MOSFET N-channel. 150V. 25.5A. SISS72DN-T1-GE3	N	150	0.042	25.5		4	65.8		VISHAY
MOSFET P-channel. 150V. 16.2A. SISS73DN-T1-GE3	P	150	0.125	16.2		4	65.8		VISHAY
MOSFET N-channel. 70V. 67.4A. SISS76LDN-T1-GE3	N	70	0.0016	67.4		1.6	57		VISHAY
MOSFET N-channel. 70V. 66.7A. SISS78LDN-T1-GE3	N	70		66.7		2.3	57		VISHAY
MOSFET N-channel. 20V. 210A. SISS80DN-T1-GE3	N	20	0.92	210		1.5	65		VISHAY
MOSFET N-channel. 250V. 12.3A. SISS92DN-T1-GE3	N	250	0.173	12.3		4	65.8		VISHAY
MOSFET N-channel. 200V. 19.5A. SISS94DN-T1-GE3	N	200	0.075	19.5		4	65.8		VISHAY

Полевые транзисторы MOSFET, стр. 209