Полевые транзисторы MOSFET - Транзисторы - Электронные компоненты - Каталог компонентов, стр. 139 | Поставка электронных компонентов оптом и в розницу

Вид:

↑			↑Тип канала	↑VDSS,V	↑RDS(on),Ohm	↑ID,A	↑VGS(th) min,V	↑VGS(th) max,V	↑Pd,Вт	↑Корпус	↑Производитель
↑			↑Тип канала	↑VDSS,V	↑RDS(on),Ohm	↑ID,A	↑VGS(th) min,V	↑VGS(th) max,V	↑Pd,Вт	↑Корпус	↑Производитель
MOSFET N-channel. 250V. 3.3A. SI4434ADY-T1-GE3			N	250	0.15	3.3		4	6		VISHAY
MOSFET N-channel. 250V. 2.1A. SI4434DY-T1-E3			N	250	0.155	2.1		4	1.56		VISHAY
MOSFET N-channel. 250V. 2.1A. SI4434DY-T1-GE3			N	250	0.155	2.1		4	1.56		VISHAY
MOSFET P-channel. 30V. 11.4A. SI4435DDY-T1-E3			P	30	0.024	11.4		3	2.5		VISHAY
MOSFET P-channel. 30V. 11.4A. SI4435DDY-T1-GE3	61,3⃏ / шт	Под заказ	P	30	0.024	11.4		3	2.5		VISHAY
MOSFET P-channel. 30V. 12.6A. SO-8 SI4435FDY-T1-GE3			P	30	0.019	12.6		2.2	4.8	SO-8	VISHAY
MOSFET N-channel. 60V. 8A. SI4436DY-T1-E3			N	60	0.036	8		2.5	2.5		VISHAY
MOSFET N-channel. 60V. 8A. SI4436DY-T1-GE3			N	60	0.036	8		2.5	2.5		VISHAY
MOSFET N-channel. 30V. 15A. SI4442DY-T1-E3			N	30		15		1.5	1.6		VISHAY
MOSFET N-channel. 30V. 15A. SI4442DY-T1-GE3			N	30		15		1.5	1.6		VISHAY
MOSFET P-channel. 40V. 7.2A. SI4447ADY-T1-GE3			P	40	0.045	7.2		2.5	4.2		VISHAY
MOSFET P-channel. 40V. 3.3A. SI4447DY-T1-E3			P	40	0.072	3.3		2.2	1.1		VISHAY
MOSFET P-channel. 40V. 3.3A. SI4447DY-T1-GE3			P	40	0.072	3.3		2.2	1.1		VISHAY
MOSFET P-channel. 12V. 10A. SI4451DY-T1-E3			P	12		10		0.8	1.5		VISHAY
MOSFET P-channel. 150V. 2.8A. SI4455DY-T1-E3			P	150	0.295	2.8		4	5.9		VISHAY
MOSFET P-channel. 150V. 2A. SI4455DY-T1-GE3			P	150	0.295	2		4	5.9		VISHAY
MOSFET N-channel. 40V. 33A. SI4456DY-T1-E3			N	40		33		2.8	7.8		VISHAY
MOSFET N-channel. 40V. 33A. SI4456DY-T1-GE3			N	40		33		2.8	7.8		VISHAY

Полевые транзисторы MOSFET, стр. 139