Полевые транзисторы MOSFET - Транзисторы - Электронные компоненты - Каталог компонентов, стр. 163 | Поставка электронных компонентов оптом и в розницу

Вид:

↑	↑Тип канала	↑VDSS,V	↑RDS(on),Ohm	↑ID,A	↑VGS(th) min,V	↑VGS(th) max,V	↑Pd,Вт	↑Корпус	↑Производитель
↑	↑Тип канала	↑VDSS,V	↑RDS(on),Ohm	↑ID,A	↑VGS(th) min,V	↑VGS(th) max,V	↑Pd,Вт	↑Корпус	↑Производитель
MOSFET N-channel. 8V. 12A. SIA414DJ-T1-GE3	N	8	0.011	12		0.8	19		VISHAY
MOSFET N-channel. 100V. 11.3A. SIA416DJ-T1-GE3	N	100	0.083	11.3		3	19		VISHAY
MOSFET P-channel. 30V. 12A. SIA421DJ-T1-GE3	P	30	0.035	12		3	19		VISHAY
MOSFET P-channel. 8V. 12A. SIA427ADJ-T1-GE3	P	8	0.016	12		0.8	19		VISHAY
MOSFET P-channel. 8V. 12A. PowerPAK_SC-70-6L SIA427DJ-T1-GE3	P	8	0.016	12		0.8	19	PowerPAK_SC-70-6L	VISHAY
MOSFET P-channel. 20V. 12A. SIA429DJT-T1-GE3	P	20		12		1	19		VISHAY
MOSFET N-channel. 20V. 12A. SIA430DJT-T1-GE3	N	20		12		3	19.2		VISHAY
MOSFET N-channel. 20V. 12A. SIA430DJT-T4-GE3	N	20		12		3	19.2		VISHAY
MOSFET P-channel. 20V. 12A. SIA431DJ-T1-GE3	P	20	0.025	12		0.85	19		VISHAY
MOSFET N-channel. 30V. 12A. SIA432DJ-T1-GE3	N	30	0.02	12		3	19.2		VISHAY
MOSFET P-channel. 20V. 12A. SIA433EDJ-T1-GE3	P	20	0.018	12		1.2	19		VISHAY
MOSFET N-channel. 8V. 12A. SIA436DJ-T1-GE3	N	8	0.0094	12		0.8	19		VISHAY
MOSFET N-channel. 8V. 12A. SIA436DJ-T4-GE3	N	8	0.0094	12		0.8	19		VISHAY
MOSFET P-channel. 20V. 29.7A. SIA437DJ-T1-GE3	P	20		29.7		0.9	19		VISHAY
MOSFET N-channel. 40V. 12A. SIA440DJ-T1-GE3	N	40	0.026	12		1.4	19		VISHAY
MOSFET P-channel. 40V. 12A. SIA441DJ-T1-GE3	P	40	0.047	12		2.2	19		VISHAY
MOSFET P-channel. 20V. 12A. SIA445EDJ-T1-GE3	P	20	0.00165	12		1.2	19		VISHAY
MOSFET P-channel. 20V. 12A. SIA445EDJT-T1-GE3	P	20	0.00167	12		1.2	19		VISHAY

Полевые транзисторы MOSFET, стр. 163