Новый высоковольтный MOSFET от CET-MOS Corporation.

CET-MOS Corporation.
История компании началась 25 лет назад в 1995 году на Тайване. Презентация.

В группу продуктов, выпускаемой CET-MOS Corporation входят:
- Транзисторы
- N канальные MOSFETs
- P канальные MOSFETs
- Двойные N и P канальные MOSFETs
- Двойные N канальные MOSFETs (Asymmetric Dual N-Channel MOSFETs)

Параметрический поиск. (Посмотреть всю линейку)

Новое семейство N канальных MOSFETs транзисторов CEP25N65CS; CEB25N65CS; CEF25N65CS с изолированным затвором выпускается в SMD корпусе ТО-263 и TO-220; ТО-220F с креплением на теплоотвод.
Отработанная технология позволила изготовить полевой транзистор с напряжением пробоя сток-исток 650 В, и постоянным током стока 24 A. Транзистор обладает очень низким зарядом затвора, а также низкой паразитной емкостью. ***25N65CS остается работоспособен при диапазоне температур от — 55°C до + 150°C. Быстрое переключение, малое сопротивление сток-исток открытого канала (составляет 0.115 Ом) и большая максимально допустимая рассеиваемая мощность 178 Вт позволяют использовать прибор в импульсных источниках питания, зарядных устройствах и других подобных изделиях.

Основные характеристики:

- Очень низкий заряд затвора;
- Высокая устойчивость к температурным воздействиям;
- Малый уровень собственных шумов;
- Очень низкая эффективная емкость;
- Малое сопротивление во включенном состоянии;
- Высокое коммутируемое напряжение;
- Высокая скорость переключения.

Data-Sheet (Скачать)

Запросите образец для ознакомления. (Форма запроса)

5 декабря 2019 г.