0 Ваш заказ
Запрос отправлен
Большое спасибо за заказ. Наши менеджеры свяжутся с вами по электронной почте для уточнения стоимости и сроков поставки.

Заказать пропуск
8 495 795 08 05 Пн-Пт 9:00-18:00

SIDR638DP-T1-GE3

Склад в Москве

Самовывоз со склада: бесплатно
Доставка: по тарифам ТК

Склад Количество Цена Сумма
VISHAY SIDR638DP-T1-GE3
Под заказ
242,2
726600

Характеристики

Технические

  • Тип канала
    N

Электрические

  • Максимальное напряжение сток-исток
    40V
  • Типовое сопротивление канала в проводящем состоянии
    0.88Ohm
  • Максимальный ток
    100A
  • Пороговое напряжение затвора max
    2.3V
  • Общий заряд затвора
    204nC
  • Входная емкость
    10500pF
  • Мощность рассеивания
    125Вт

Общие

  • Корпус
    PowerPAK_SO-8

PDF

sidr638dp-t1-ge3.pdf 0.2Мб

sidr638dp-t1-ge3.pdf

MOSFET N-channel. 40V. 100A. PowerPAK_SO-8



Минимальная сумма заказа 3000 рублей

Формирование заказа в течение 24 часов

Позиции со склада в Москве

  • Под заказ
    SIDR638DP-T1-GE3
    40V 100A N-MOSFET / SIDR638DP-T1-GE3
    VISHAY
    288,78
Закрыть

Короткая ссылка на эту страницу