0 Ваш заказ
Запрос отправлен
Большое спасибо за заказ. Наши менеджеры свяжутся с вами по электронной почте для уточнения стоимости и сроков поставки.

Заказать пропуск
8 495 795 08 05 Пн-Пт 9:00-18:00

SI2319CDS-T1-GE3

Склад в Москве

Самовывоз со склада: бесплатно
Доставка: по тарифам ТК

Склад Количество Цена Сумма
VISHAY SI2319CDS-T1-GE3
Под заказ
47,86
143580

Характеристики

Технические

  • Тип канала
    P

Электрические

  • Максимальное напряжение сток-исток
    40V
  • Типовое сопротивление канала в проводящем состоянии
    0.077Ohm
  • Максимальный ток
    4.4A
  • Пороговое напряжение затвора max
    2.5V
  • Общий заряд затвора
    21nC
  • Входная емкость
    595pF
  • Мощность рассеивания
    1.25Вт

PDF

si2319cds-t1-ge3.pdf 0.19Мб

si2319cds-t1-ge3.pdf

MOSFET P-channel. 40V. 4.4A.



Минимальная сумма заказа 3000 рублей

Формирование заказа в течение 24 часов

Позиции со склада в Москве

  • Под заказ
    SI2319CDS-T1-GE3-VB
    Транзисторы и сборки MOSFET
    VBSEMI
    6,71
  • Под заказ
    SI2319CDS-T1-GE3
    Транзистор SI2319CDS-T1-GE3
    VISHAY
    57,43
Закрыть

Короткая ссылка на эту страницу