0 Ваш заказ
Запрос отправлен
Большое спасибо за заказ. Наши менеджеры свяжутся с вами по электронной почте для уточнения стоимости и сроков поставки.

Заказать пропуск
8 495 795 08 05 Пн-Пт 9:00-18:00

SI2312BDS-T1-GE3

Под заказ со склада поставщика

Товар отгружается только
по предварительному заказу
по электронной почте

Формирование заказа в течение 24 часов

Характеристики

Технические

  • Тип канала
    N

Электрические

  • Максимальное напряжение сток-исток
    20V
  • Типовое сопротивление канала в проводящем состоянии
    0.031Ohm
  • Максимальный ток
    3.9A
  • Пороговое напряжение затвора max
    0.85V
  • Общий заряд затвора
    12nC
  • Мощность рассеивания
    0.75Вт

Общие

  • Производитель
    VISHAY

Спецификация

si2312bds-t1-ge3.pdf 0.18Мб

si2312bds-t1-ge3.pdf

MOSFET N-channel. 20V. 3.9A.

Тел.: 8-495-795-08-05
127015, Россия, г. Москва ул. Новодмитровская, д.2, корп.2, этаж 14, офис "Радиотех"
Закрыть

Короткая ссылка на эту страницу