0 Ваш заказ
Запрос отправлен
Большое спасибо за заказ. Наши менеджеры свяжутся с вами по электронной почте для уточнения стоимости и сроков поставки.

Заказать пропуск
8 495 795 08 05 Пн-Пт 9:00-18:00

SI2300DS-T1-GE3

Склад в Москве

Самовывоз со склада: бесплатно
Доставка: по тарифам ТК

Склад Количество Цена Сумма
VISHAY SI2300DS-T1-GE3
Под заказ
284,49
853470

Характеристики

Технические

  • Тип канала
    N

Электрические

  • Максимальное напряжение сток-исток
    30V
  • Типовое сопротивление канала в проводящем состоянии
    0.068Ohm
  • Максимальный ток
    3.6A
  • Пороговое напряжение затвора max
    1.5V
  • Общий заряд затвора
    10nC
  • Входная емкость
    320pF
  • Мощность рассеивания
    1.1Вт

PDF

si2300ds-t1-ge3.pdf 0.2Мб

si2300ds-t1-ge3.pdf

MOSFET N-channel. 30V. 3.6A.



Минимальная сумма заказа 3000 рублей

Формирование заказа в течение 24 часов

Позиции со склада в Москве

  • Под заказ
    SI2300DS-T1-GE3-VB
    Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
    VBSEMI
    5,34
  • Под заказ
    SI2300DS-T1-GE3
    30V 12A / SI2300DS-T1-GE3
    VISHAY
    339,19
Закрыть

Короткая ссылка на эту страницу